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高潮痙攣視頻三星宣布已完成全球首款32Gb(4GB) DDR5內(nèi)存芯片開發(fā)

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近期,三星電子宣布已完成全球首款32Gb(4GB)DDR5內(nèi)存芯片的開發(fā)。該芯片是迄今業(yè)界密度最高的,可依此研發(fā)1TB容量的內(nèi)存條。此前5月份,三星剛剛開始量產(chǎn)16Gb(2GB)容量的DDR5內(nèi)存芯片,頻率高達(dá)7200MT/s。最新的32GbDDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!不過,三星并未披露具體頻率。此前的128GBDDR5內(nèi)存條,必須使用TSV硅穿孔技術(shù),堆疊多顆芯片才能達(dá)成,而現(xiàn)在有了單顆64Gb,就不需要TSV堆疊了,從而將功耗降低大約10%。只需要8顆這樣的芯片,就能達(dá)成單條32GB容量。更進一步,使用8-Hi3DS堆疊技術(shù)將8顆32Gb芯片整合在一起,然后在一條內(nèi)存上安裝32顆,就能達(dá)成單條1TB容量!有了它,AMDEPYC9004這樣支持12通道內(nèi)存的服務(wù)器平臺上,就可以實現(xiàn)單路系統(tǒng)12TB內(nèi)存。三星計劃在今年底量產(chǎn)32GbDDR5內(nèi)存芯片。延伸閱讀
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